IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

產品型號：BSM300GA170DLC
廠商性質：經銷商
更新時間：2024-01-19
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北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DLC

英飛凌單管IGBT模塊BSM300GA170DLC

集電極—射極擊穿電壓: 1700 V

集電極—射極飽和電壓: 3.2 V

集電極zui大連續電流 Ic: 300 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

功率耗散: 1.4 KW

封裝 / 箱體: IS5a ( 62 mm )

集電極—發射極zui大電壓 VCEO: 1200 V

柵極/發射極zui大電壓: 20 V

zui大工作溫度: + 125℃

zui小工作溫度: - 40℃

BSM200GA170DN2 200A/1700V/1U
BSM300GA120DN2 300A/1200V/1U
BSM300GA170DN2 300A/1700V/1U
BSM400GA120DN2 400A/1200V/1U
BSM400GA170DLC 400A/1700V/1U
BSM200GA120DLC 200A/1200V/1U
BSM200GA170DLC 200A/1700V/1U
BSM300GA120DLC 300A/1200V/1U
BSM300GA170DLC 300A/1700V/1U

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