IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

產品型號：FF400R06KE3
廠商性質：經銷商
更新時間：2024-01-19
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英飛凌600V 2單元IGBT模塊FF400R06KE3

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集電極—射極擊穿電壓: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 1.90 V

集電極zui大連續電流 Ic: 400 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

典型應用
大功率變流器
電機傳動
UPS系統
電氣特性
增加阻斷電壓至650V
提高工作結溫Tvjop
高短路能力，自限制短路電流

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