IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

產(chǎn)品型號(hào)：6SY7000-0AB06
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
更新時(shí)間：2024-01-19
訪(fǎng) 問(wèn) 量：3817

立即咨詢(xún)

聯(lián)系電話(huà)：010-64824799

詳細(xì)介紹

北京京誠(chéng)宏泰科技原裝正品銷(xiāo)售西門(mén)子可控硅模塊配件6SY7000-0AB06

ICE=170A;VCES=2000V

SIMOVERT MASTERDRIVES NETZ-THYRISTOR-MODUL

6SY7000-0AA30 6SY7000-0AB30 6SY7000-0AC30
6SY7000-0AA31 6SY7000-0AB31 6SY7000-0AC31
6SY7000-0AA32 6SY7000-0AB32 6SY7000-0AC32
6SY7000-0AA33 6SY7000-0AB33 6SY7000-0AC33
6SY7000-0AA34 6SY7000-0AB34 6SY7000-0AC34
6SY7000-0AA35 6SY7000-0AB35 6SY7000-0AC35
6SY7000-0AA36 6SY7000-0AB36 6SY7000-0AC36
6SY7000-0AA37 6SY7000-0AB37 6SY7000-0AC37
6SY7000-0AA38 6SY7000-0AB38 6SY7000-0AC38
6SY7000-0AA39 6SY7000-0AB39 6SY7000-0AC39
6SY7000-0AA40 6SY7000-0AB40 6SY7000-0AC40
6SY7000-0AA41 6SY7000-0AB41 6SY7000-0AC41
6SY7000-0AA42 6SY7000-0AB42 6SY7000-0AC42
6SY7000-0AA43 6SY7000-0AB43 6SY7000-0AC43
6SY7000-0AA44 6SY7000-0AB44 6SY7000-0AC44
6SY7000-0AA45 6SY7000-0AB45 6SY7000-0AC45
6SY7000-0AA46 6SY7000-0AB46 6SY7000-0AC46
6SY7000-0AA47 6SY7000-0AB47 6SY7000-0AC47
6SY7000-0AA48 6SY7000-0AB48 6SY7000-0AC48
6SY7000-0AA49 6SY7000-0AB49 6SY7000-0AC49
6SY7000-0AA50 6SY7000-0AB50 6SY7000-0AC50
6SY7000-0AA51 6SY7000-0AB51 6SY7000-0AC51
6SY7000-0AA52 6SY7000-0AB52 6SY7000-0AC52
6SY7000-0AA53 6SY7000-0AB53 6SY7000-0AC53
6SY7000-0AA54 6SY7000-0AB54 6SY7000-0AC54
6SY7000-0AA55 6SY7000-0AB55 6SY7000-0AC55
6SY7000-0AA56 6SY7000-0AB56 6SY7000-0AC56
6SY7000-0AA57 6SY7000-0AB57 6SY7000-0AC57
6SY7000-0AA58 6SY7000-0AB58 6SY7000-0AC58
6SY7000-0AA59 6SY7000-0AB59 6SY7000-0AC59